NEC apresenta amplificador de potência

A NEC desenvolveu um amplificador de potência que servirá como dispositivo chave no acesso móvel e em equipamentos de comunicação sem fios fronthaul/backhaul, de modo a permitir comunicações de alta velocidade e de alta capacidade para redes 5G Advanced e 6G, segundo explica a companhia.

Este amplificador de potência utiliza tecnologia GaAs, que pode ser produzida em massa, tendo conseguido “atingir a maior potência de saída a nível mundial, de 10 mW, na banda dos 150 GHz”.

Com esta nova solução, a NEC tem como objetivo acelerar o desenvolvimento de equipamentos, bem como a sua implementação no mercado.

Espera-se que o 5G Advanced e o 6G forneçam comunicações de alta velocidade e alta capacidade a 100 Gbps, o que equivale a 10 vezes mais do que a velocidade atual do 5G.

Isto pode ser efetivamente alcançado através da utilização da banda sub-terahertz (100 a 300 GHz), que pode fornecer uma largura de banda ampla de 10 GHz ou mais. Em particular, “espera-se uma rápida comercialização da banda D (130 a 174,8 GHz), que é internacionalmente alocada às comunicações fixas sem fios”.

O amplificador de potência agora desenvolvido utiliza um processo de pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) sobre arsenieto de gálio de 0,1-μm (GaAs), comercialmente disponível.

Em comparação com o CMOS e o silício germânio (SiGe) utilizado para a banda sub-terahertz, os GaAs pHEMT “permitem funcionamento com tensões elevadas e custos iniciais mais baixos para produção em massa”.

No que diz respeito ao desenho dos circuitos, este amplificador de potência elimina os fatores que prejudicam o desempenho na banda de alta-frequência e utiliza uma configuração de rede de impedância correspondente adequada a uma potência de saída elevada.

No futuro, a NEC continuará a desenvolver tecnologias destinadas a alcançar comunicações sem fios de alta velocidade, alta capacidade e eficazes em custo, para 5G Advanced e 6G.